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Industrial y Científico

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ON SEMICONDUCTOR - BC847BDW1T1G - Conjunto de transistores bipolares Dual NPN 380 mW 450 hFE 45 V 100 mA Propósito general SOT-363-6pack

ON SEMICONDUCTOR - BC847BDW1T1G - Conjunto de transistores bipolares Dual NPN 380 mW 450 hFE 45 V 100 mA Propósito general SOT-363-6pack

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ON SEMICONDUCTOR - 50A02SS-TL-E - Bipolar (BJT) Single Transistor -50 V 200 mW 200 hFE 690 MHz -400 mA PNP-6pack

ON SEMICONDUCTOR - 50A02SS-TL-E - Bipolar (BJT) Single Transistor -50 V 200 mW 200 hFE 690 MHz -400 mA PNP-6pack

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ON SEMICONDUCTOR - BCW72LT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor NPN 300 MHz 100 mA 45 V 225 mW General Purpose 200 hFE-6pack

ON SEMICONDUCTOR - BCW72LT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor NPN 300 MHz 100 mA 45 V 225 mW General Purpose 200 hFE-6pack

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ON SEMICONDUCTOR - BC848ALT1G - Transistor único bipolar (BJT) NPN 100 MHz 100 mA 30 V 225 mW Propósito general 110 hFE-6pack

ON SEMICONDUCTOR - BC848ALT1G - Transistor único bipolar (BJT) NPN 100 MHz 100 mA 30 V 225 mW Propósito general 110 hFE-6pack

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ON SEMICONDUCTOR - MMBT5088LT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor NPN 50 MHz 50 mA 30 V 225 mW General Purpose 50 hFE-6pack

ON SEMICONDUCTOR - MMBT5088LT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor NPN 50 MHz 50 mA 30 V 225 mW General Purpose 50 hFE-6pack

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ON Semiconductor/Fairchild PN2222A PN2222 2222 NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 300 hFE Transistores bipolares de silicio epitaxial (paquete de 10)

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Paquete de 10 transistores bipolar 2SA608NG-NPA-AT (BJT) PNP 50 V 150 mA 200 MHz 500 mW a través del agujero TO-92: RoHS

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Paquete de 10 transistores bipolares MPSA92ZL1G (BJT) PNP 300 V 500 mA 50 MHz 625 mW Través Orificio TO-92 (TO-226): Rohs

Paquete de 10 transistores bipolares MPSA92ZL1G (BJT) PNP 300 V 500 mA 50 MHz 625 mW Través Orificio TO-92 (TO-226): Rohs

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Paquete de 10 transistores bipolares MPSA42ZL1G (BJT) NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Orificio pasante TO-92 (TO-226): Rohs

Paquete de 10 transistores bipolares MPSA42ZL1G (BJT) NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Orificio pasante TO-92 (TO-226): Rohs

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BC557BRL1G transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 320MHz 625 mW Orificio pasante TO-92 (TO-226): RoHS, cinta cortada

BC557BRL1G transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 320MHz 625 mW Orificio pasante TO-92 (TO-226): RoHS, cinta cortada

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ON SEMICONDUCTOR - SBC847CLT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor 45 V 225 mW 420 hFE 100 MHz 100 mA NPN-6pack

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100 piezas de fieltro de lana de pulido Bob Burr 1/2 pulgada de diámetro 1/4 pulgadas de alto ruedas #414 con 2 tornillos mandril 401 vástago de 1/8

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Instrumento de Luxación ANAQA 3C

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Juego surtido de tuercas y pernos resistentes de 240 piezas M4 M5 M6 M8 M10

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EIKS Módulo de resistencia fotosensible Interruptor de relé de resistencia fotográfica DC 5V

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Curetas de implantes dentales, titanio, IMPGR3-4

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